什么是TLP測(cè)試？

1. TLP 的目的

TLP是Transmission Line Pulse的縮寫，當(dāng)釋放同軸電纜中存儲(chǔ)的電荷時(shí)，得到方波。
這個(gè)特性可以用來研究IC的保護(hù)電路特性。
重要的一點(diǎn)是方波的上升時(shí)間。保護(hù)電路的特性隨上升時(shí)間的變化而變化。因此，重要的是上升時(shí)間可以從高速變?yōu)榈退僮鳛樵撈骷囊粋€(gè)點(diǎn)。作為目標(biāo)上升，希望實(shí)現(xiàn)快于 200ps 的高速上升。

2. TLP理論

TLP 波形采集方法 TLP 波形采集方法主要有三種。
(1) TDR (Time Domain Refraction)
    使用 DUT 反射波形的方法
(2) TDT (Time Domain Transmission)
    檢查通過 DUT 的波形的方法(3)     TDTR
(Time Domain Transmission and Refraction)

圖 1 顯示了 TDR 方法。

電壓波形通過直接在放電路徑上連接示波器來確認(rèn)，電流波形通過在放電路徑上插入電流探頭來確認(rèn)。
在 TDT 方法中，圖 1 中示波器和 DUT 的位置是相反的。
在 TLP 測(cè)試中，上升時(shí)間可以通過使用濾波器來改變，但脈沖寬度取決于用于充電的同軸電纜的長(zhǎng)度。

圖 2 顯示了 TLP 的電路配置。

T = 2 L1 / VT 為脈沖寬度（ns），L1 為同軸電纜長(zhǎng)度（mm）

　　　　　　V = 2.0 × 10 ^ 8m / s (例) 當(dāng) L1 = 20 (m) T = 200 (ns)

圖 3 顯示了當(dāng)它入射到 DUT 并*消耗時(shí)的波形，這可以用圖 2 中的電壓表（示波器）來確認(rèn)。
考慮 L2 長(zhǎng) 10 mm 且 DUT 短的情況，分別確認(rèn)入射波和反射波時(shí)的波形如圖 4 左圖所示。

可以用電壓表確認(rèn)的波形如圖 4 右側(cè)所示。

同樣，可以用電流表（電流探頭）確認(rèn)的波形如圖 5 右側(cè)所示。

3. 相關(guān)產(chǎn)品介紹

1.HED-T5000/HED-T5000VF

配備先進(jìn)的測(cè)試模式。我們有一個(gè)施加脈沖寬度為 100 ns / 200 ns 的正常測(cè)試和一個(gè)施加寬度減小到 1 ns 的 VFTLP（極快 TLP）測(cè)試模式。
它可用于驗(yàn)證具有 ESD 電阻的 HBM / CDM 測(cè)試。您可以使用標(biāo)準(zhǔn)示波器檢查器件引腳的入射波和器件引腳的反射波。
該數(shù)據(jù)被保存并顯示在專用監(jiān)視器上。入射/反射波的總值、回彈特性、Vf/Im測(cè)量的泄漏測(cè)量值等可以在專用監(jiān)視器上追蹤。
從示波器保存的數(shù)據(jù)允許在算術(shù)處理中具有高度的自由度。例如，您可以通過在工藝發(fā)生變化的晶體管的導(dǎo)通電壓和可以通過保護(hù)電路的最大電流值上疊加跡線來檢查差異。
它還可以連接到半自動(dòng)探測(cè)器以自動(dòng)執(zhí)行 TLP 測(cè)試。
測(cè)試效率大大提高，因?yàn)榫A上應(yīng)用的引腳和芯片之間的自動(dòng)移位和自動(dòng)測(cè)量是可能的。

1.HED-T5000-HC

目前，對(duì)高集成度、高頻率和高耐壓器件的需求日益增加。
該設(shè)備可以測(cè)量傳統(tǒng)TLP無法覆蓋的高壓和大電流特性，可用于獲取和分析高壓元件的運(yùn)行參數(shù)。